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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP10P50P 授权代理品牌	P沟道耐压:500V 电流:10A 下载数据手册未分类	+1：￥35.240446 +10：￥30.727483 +50：￥26.367503 +100：￥23.65754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 500V 连续漏极电流(Id)： 10A 功率(Pd)： 300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1Ω@5A,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP10P50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.376268 +50：￥29.950074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTP10P50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥42.681171 +2000：￥42.322539 +3000：￥41.605275 +8000：￥40.887894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXTP10P50P 授权代理品牌	IXTP10P50P 下载数据手册未分类	+1：￥5.128358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-220-3 封装/外壳： TO-220 FET类型： P-Channel 工作温度： -55°C~150°CTJ 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： 500V 连续漏极电流Id： 10ATc 连续漏极电流Id： 10A Rds OnMax@Id,Vgs： 1Ohms@5A,10V Pd-功率耗散Max： 300WTc

自营国内现货

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	IXTP10P50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.151118 +50：￥24.350088 +100：￥22.557102 +500：￥20.950481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP10P50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥103.112802 +50：￥59.566766 +100：￥55.180649 +500：￥51.250429	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP10P50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥102.979767 +10：￥92.532544 +50：￥78.934572 +100：￥73.296388 +250：￥71.803928	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： PolarP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IXTP10P50P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥56.571162 +500：￥54.032812 +1000：￥48.878722 +2000：￥48.801333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP10P50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	P-Channel 500 V 1 Ohm Flange Mount Power MosFet - TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥36.482063 +20：￥35.049522 +75：￥33.998992 +200：￥33.234969 +750：￥31.420418	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXTP10P50P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	P-Channel 500 V 1 Ohm Flange Mount Power MosFet - TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥41.925722 +15：￥40.302175 +50：￥39.060637 +150：￥38.010107 +500：￥35.909047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP10P50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PolarP™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2840 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）