IRFH5010TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFH5010TRPBF 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥43.17984 +100：￥30.830112 +300：￥23.574384 +500：￥20.01672 +1000：￥18.004464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.042161 +10：￥8.577907 +30：￥7.660016 +100：￥6.720271 +500：￥5.671253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.752042	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5010TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥7.504873 +20：￥7.381863 +50：￥7.074286 +5000：￥6.951277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+21：￥4.738075 +50：￥4.548562 +100：￥4.359049 +300：￥4.169536 +500：￥3.980023	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+21：￥8.187378 +50：￥7.8599 +100：￥7.532422 +300：￥7.204944 +500：￥6.877466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+21：￥8.187378 +50：￥7.8599 +100：￥7.532422 +300：￥7.204944 +500：￥6.877466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+21：￥8.187378 +50：￥7.8599 +100：￥7.532422 +300：￥7.204944 +500：￥6.877466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥29.243664 +10：￥26.207437 +100：￥21.093791 +500：￥17.258557 +1000：￥14.334189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5010TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥8.558408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFH5010TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4340 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）