IXTN22N100L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN22N100L 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥370.751344 +200：￥143.475055 +500：￥138.437584 +1000：￥135.946166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN22N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥329.233072 +10：￥299.323501 +100：￥269.392319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN22N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥805.39133 +10：￥732.224594 +100：￥659.004992	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN22N100L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 下载数据手册	+1：￥921.009954 +10：￥837.059055	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 11A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN22N100L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥556.85411	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN22N100L Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=1000 V, 22 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXTN22N100L 下载数据手册未分类	+10：￥474.253795 +20：￥460.024904 +40：￥446.224193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTN22N100L参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600 毫欧 11A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	270 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7050 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）