IPC100N04S5L2R6ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.387144 +200：￥2.087109 +500：￥2.010618 +1000：￥1.977836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.972206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+2905：￥3.378391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+10：￥12.868919 +100：￥10.231922 +250：￥10.031492 +500：￥8.428156 +1000：￥6.539926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.238015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥7.323276	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.529998 +10：￥14.816226 +100：￥11.550336 +500：￥9.541212 +1000：￥7.532575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.529998 +10：￥14.816226 +100：￥11.550336 +500：￥9.541212 +1000：￥7.532575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-34
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+1：￥11.319155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.6mOhm @ 50A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 30µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2925 pF @ 25 V

IPC100N04S5L2R6ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.6 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2925 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+2905：￥3.378391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	+10：￥12.868919 +100：￥10.231922 +250：￥10.031492 +500：￥8.428156 +1000：￥6.539926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2925 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）