搜索 IPC100N04S5L2R6ATMA1 共 14 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥5.387144 +200: ¥2.087109 +500: ¥2.010618 +1000: ¥1.977836 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPC100N04S5L2R6ATMA1 授权代理品牌 | +2905: ¥3.378391 | ||||
IPC100N04S5L2R6ATMA1 授权代理品牌 | +10: ¥12.868919 +100: ¥10.231922 +250: ¥10.031492 +500: ¥8.428156 +1000: ¥6.539926 | ||||
IPC100N04S5L2R6ATMA1 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
IPC100N04S5L2R6ATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.6 毫欧 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V 30µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 55 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2925 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 75W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-34 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |