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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN110N20L2 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥324.485283 +200：￥125.576187 +500：￥121.16157 +1000：￥118.976116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN110N20L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥271.85382 +10：￥253.608206 +100：￥220.197881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 500 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN110N20L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥665.026477 +10：￥620.392869 +100：￥538.662361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 500 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN110N20L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B 下载数据手册	+1：￥675.272915 +10：￥629.862623 +30：￥603.464473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 55A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 500 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 735W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN110N20L2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥432.943394 +25：￥428.945407 +50：￥411.534814 +100：￥402.765035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTN110N20L2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear L2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	500 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	735W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）