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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTF02N450 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC 下载数据手册未分类	+25：￥460.951533 +50：￥429.542752 +100：￥401.945958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 256 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS i4-PAC™ 封装/外壳： i4-Pac™-5（3 引线）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTF02N450 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥614.955505 +10：￥573.78211 +100：￥498.194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 256 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS i4-PAC™ 封装/外壳： i4-Pac™-5（3 引线）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTF02N450 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC 下载数据手册未分类	+1：￥724.306086 +10：￥645.414688 +25：￥606.882467 +50：￥586.619835 +100：￥566.3572	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 256 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS i4-PAC™ 封装/外壳： i4-Pac™-5（3 引线）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTF02N450 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK 下载数据手册未分类	+25：￥365.49347 +50：￥361.882384 +100：￥348.856681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTF02N450参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	4500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 欧姆 10mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	256 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	ISOPLUS i4-PAC™
封装/外壳:	i4-Pac™-5（3 引线）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）