IXFN180N15P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥201.105477 +30：￥192.363661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥164.316999 +10：￥146.032934 +100：￥127.724327 +500：￥108.991489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥401.962919 +10：￥357.235252 +100：￥312.447548 +500：￥266.622061	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B 下载数据手册	+1：￥456.503426 +10：￥379.41233 +20：￥369.285956 +50：￥364.876084 +100：￥343.15338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：盒封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 150A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥246.629672 +25：￥234.065755 +50：￥229.417108 +100：￥217.481386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N型 SOT-227B 下载数据手册未分类	+1：￥264.539551 +5：￥241.915147 +10：￥219.290741 +50：￥212.42892 +100：￥205.567099	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N, SOT-227B 下载数据手册未分类	+1：￥276.632174 +5：￥252.978059 +10：￥229.311743 +50：￥222.131254 +100：￥214.950756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN180N15P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	DiscMSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini/ TUBE 03AH0725 下载数据手册未分类	+1：￥255.163963	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN180N15P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 150 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN180N15P 下载数据手册未分类	+10：￥187.474274 +20：￥181.848316 +40：￥176.395299	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN180N15P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 150 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, IXFN180N15P 下载数据手册未分类	+1：￥229.32009 +3：￥222.438222 +5：￥215.759114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN180N15P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	盒
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	240 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	680W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）