IPW65R019C7FKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥205.296707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥140.37171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥190.774287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥170.62515 +10：￥157.339746 +100：￥134.356909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥417.394327 +10：￥384.894708 +100：￥328.672599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥320.377683 +10：￥230.207616 +100：￥188.360409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 19mOhm @ 58.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 2.92mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9900 pF @ 400 V

Mouser

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	IPW65R019C7FKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥361.11633 +25：￥292.390557 +100：￥275.252834 +240：￥275.07796 +480：￥249.196498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 19 毫欧 58.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.92mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9900 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 446W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥241.141636 +480：￥219.772682 +510：￥217.744971	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPW65R019C7FKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥136.560861	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPW65R019C7FKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥144.364339	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R019C7FKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	19 毫欧 58.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 2.92mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	215 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9900 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	446W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）