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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥9.292558 +100：￥6.284135 +800：￥4.612883 +3000：￥3.342625 +6000：￥3.175524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 91W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥9.106023 +200：￥3.528978 +500：￥3.402943 +1000：￥3.339925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 91W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.571333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 91W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR48ZTRLPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR48ZTRLPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.572579 +2500：￥2.422492 +7500：￥2.358198 +10000：￥2.251008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.779243 +6000：￥3.590282 +15000：￥3.455324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 91W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥9.24503 +6000：￥8.782778 +15000：￥8.452639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 91W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.787295 +10：￥19.48367 +100：￥15.188659 +500：￥12.546984 +1000：￥9.905448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)
IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.787295 +10：￥19.48367 +100：￥15.188659 +500：￥12.546984 +1000：￥9.905448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR48ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥24.616116 +10：￥21.990397 +100：￥17.231281 +500：￥14.162474 +1000：￥11.192128	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1720 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 91W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR48ZTRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+6000：￥6.17262 +9000：￥6.036743 +15000：￥5.997923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR48ZTRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 37A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1720 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	91W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）