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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥4.757818 +200：￥1.848512 +500：￥1.785495 +1000：￥1.753986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.66012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.462781 +8000：￥1.376259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.527681 +8000：￥2.378172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.102554 +10：￥6.120034 +100：￥4.565758 +500：￥3.587737 +1000：￥2.772245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (3x3)
IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.102554 +10：￥6.120034 +100：￥4.565758 +500：￥3.587737 +1000：￥2.772245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (3x3)
IRFH3707TRPBF International 授权代理品牌	IRFH3707 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 12.4mOhm @ 12A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 25µA Supplier Device Package： 8-PQFN (3x3) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 755 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH3707TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥8.163284 +10：￥7.020424 +100：￥5.251713 +500：￥4.136064 +1000：￥3.197286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.1 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH3707TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.820025 +10：￥4.934452 +25：￥4.79026 +50：￥3.972316 +100：￥3.709453	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFH3707TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta），29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.4 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.1 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	755 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（3x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）