IRF7834TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7834TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 19A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.513719 +200：￥2.9282 +500：￥2.34256 +1000：￥1.952093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7834TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 30V 18A 下载数据手册未分类	+1：￥3.245399 +10：￥2.677181 +30：￥2.425854 +100：￥2.11989 +500：￥1.75929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7834TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 19A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.605999 +200：￥1.398691 +500：￥1.344054 +1000：￥1.3222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7834TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 19A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.478544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7834TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7834TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.777027 +1000：￥1.685857 +8000：￥1.640325 +12000：￥1.594793 +16000：￥1.533978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7834TRPBF 授权代理品牌	IRF7834TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.198677 +20：￥2.123432 +200：￥2.048186	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7834TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7834TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.496347 +4000：￥1.470299 +12000：￥1.431288 +20000：￥1.39216 +24000：￥1.340182	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7834TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 19A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7834TRPBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7834TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 19A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3710 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7834TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3710 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）