IRFP250MPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFP250MPBF 共 36 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.584019 +10：￥3.299574 +30：￥3.242685 +100：￥3.072018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.169203 +5：￥7.605455 +15：￥5.896451 +25：￥4.272752 +50：￥4.059066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.249166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册未分类	+400：￥4.24231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP250MPBF 授权代理品牌	IRFP250MPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥3.811828 +30：￥3.748297 +50：￥3.716532 +100：￥3.653001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP250MPBF 授权代理品牌	IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIESSTM 下载数据手册未分类	+400：￥4.250799 +1200：￥4.179952 +2000：￥4.073683 +4000：￥4.002836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥4.386627 +50：￥4.310996 +75：￥4.235364 +100：￥4.159733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.023311 +50：￥5.615639 +400：￥5.106515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP250MPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFP250MPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+30：￥5.542709 +90：￥5.450331 +150：￥5.311762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.354971 +10：￥6.420999 +50：￥5.948803 +100：￥5.393606 +500：￥5.120522	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRFP250MPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75mOhm 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	123 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2159 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	214W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册未分类	+400：￥4.24231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP250MPBF 授权代理品牌	IRFP250MPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥3.811828 +30：￥3.748297 +50：￥3.716532 +100：￥3.653001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP250MPBF 授权代理品牌	IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIESSTM 下载数据手册未分类	+400：￥4.250799 +1200：￥4.179952 +2000：￥4.073683 +4000：￥4.002836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥4.386627 +50：￥4.310996 +75：￥4.235364 +100：￥4.159733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.023311 +50：￥5.615639 +400：￥5.106515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP250MPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFP250MPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+30：￥5.542709 +90：￥5.450331 +150：￥5.311762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP250MPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.354971 +10：￥6.420999 +50：￥5.948803 +100：￥5.393606 +500：￥5.120522	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 123 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2159 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)