IAUC28N08S5L230ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.65245	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 11µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 867 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.237346 +10000：￥6.117074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 11µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 867 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.507241 +10：￥13.838142 +100：￥10.786411 +500：￥8.910628 +1000：￥7.034606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-33
IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.507241 +10：￥13.838142 +100：￥10.786411 +500：￥8.910628 +1000：￥7.034606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-33

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	IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33 下载数据手册未分类	+1：￥18.503443 +10：￥16.598677 +100：￥12.938805 +500：￥10.693901 +1000：￥8.448999	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 11µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 867 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-33 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IAUC28N08S5L230ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	867 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-33
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）