IPW60R031CFD7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥104.781592 +10：￥100.793138 +30：￥93.898031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 32.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.63mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 141 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5623 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.91106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 32.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.63mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 141 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5623 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 32.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.63mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 141 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5623 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥87.683354 +10：￥80.606138 +100：￥69.610391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 32.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.63mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 141 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5623 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥214.496719 +10：￥197.183972 +100：￥170.28546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 32.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.63mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 141 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5623 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥155.745868 +30：￥126.058848 +120：￥118.645488 +510：￥107.522376 +1020：￥98.623858	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 31mOhm @ 32.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5623 pF @ 400 V

Mouser

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	IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载数据手册晶体管	+1：￥177.876795 +10：￥156.80599 +25：￥152.559162 +50：￥144.065505 +100：￥143.902165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 31 毫欧 32.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.63mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 141 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5623 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW60R031CFD7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥131.656794 +250：￥130.328946 +500：￥129.029653 +1000：￥127.74464 +2000：￥126.459626	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥133.270925 +5：￥103.970227 +10：￥99.244308 +50：￥87.240474 +100：￥79.962556	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 63A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥126.994279 +10：￥111.860619 +100：￥96.811781 +480：￥80.381648	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW60R031CFD7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	31 毫欧 32.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.63mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	141 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5623 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	278W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）