IRF6620TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.00547 +300：￥12.85262 +1000：￥9.43437 +4800：￥6.8365 +9600：￥6.494675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4130 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥23.471776 +10：￥20.565122 +30：￥18.838613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4130 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.156303	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4130 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥2.815827 +9600：￥2.685866 +24000：￥2.599226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4130 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥6.888259 +9600：￥6.57034 +24000：￥6.358393	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4130 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.426079 +10：￥15.6268 +25：￥14.836251 +100：￥11.127189 +250：￥11.021216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Ta），150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.45V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4130 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6620TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R 下载数据手册未分类	+1：￥15.363054 +10：￥14.195119 +25：￥13.845309 +100：￥12.0263 +250：￥10.868361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6620TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 毫欧 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.45V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4130 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MX
温度:	-40°C # 150°C（TJ）