搜索 IPN50R1K4CEATMA1 共 5 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +3000： ￥3.117485 +6000： ￥2.933225 | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥8.751175 +10： ￥7.547888 +100： ￥5.631138 +500： ￥4.424935 +1000： ￥3.419279 | 系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223 | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥8.751175 +10： ￥7.547888 +100： ￥5.631138 +500： ￥4.424935 +1000： ￥3.419279 | 系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
IPN50R1K4CEATMA1 授权代理品牌 | +1： ￥9.64214 +10： ￥8.278466 +100： ￥6.198518 +250： ￥6.14342 +500： ￥4.793521 |
艾睿
IPN50R1K4CEATMA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolMOS™ CE |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 13V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.4 欧姆 900mA，13V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 70µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.2 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 178 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 5W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT223-3 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |