IPB037N06N3GATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.144887 +200：￥6.840471 +500：￥6.610998 +1000：￥6.501726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.90629 +2000：￥4.865515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥12.002086 +2000：￥11.902338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.28012 +10：￥21.999438 +100：￥15.705578 +500：￥12.912966	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.28012 +10：￥21.999438 +100：￥15.705578 +500：￥12.912966	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB037N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥33.829103 +10：￥24.376853 +100：￥18.075354 +500：￥15.206515 +1000：￥13.995964	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.7 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥15.639449 +10：￥14.525689 +25：￥14.444575 +100：￥10.647804	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPB037N06N3GATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+19：￥16.650115 +50：￥15.170106 +100：￥12.333419 +200：￥11.54408 +500：￥11.507573	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB037N06N3GATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+9：￥9.89239 +10：￥9.187903 +25：￥9.136597 +100：￥6.735034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB037N06N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.7 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	188W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）