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	IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.010993 +10：￥0.972405 +100：￥0.879795 +500：￥0.83349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.642519 +200：￥1.976293 +500：￥1.532223 +2000：￥1.110296 +10000：￥0.999218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.531785 +50：￥1.200252 +150：￥1.038418 +500：￥0.89396 +2000：￥0.854294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.877492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥0.818951 +100：￥0.803352 +500：￥0.787753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR8726TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR8726TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.299912 +1000：￥2.181971 +5000：￥2.122948 +10000：￥2.064029 +12500：￥1.985402	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册未分类	+100：￥4.999938 +500：￥3.925497 +1000：￥3.031938 +2500：￥2.978758 +4000：￥2.968033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥1.129246 +100：￥1.05399 +300：￥0.930042 +1000：￥0.832125 +5000：￥0.790493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册	+1：￥7.41528 +10：￥6.203376 +100：￥4.6512 +500：￥3.410784 +1000：￥2.635776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.272476 +4000：￥1.175542 +6000：￥1.125823 +10000：￥1.092114	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLR8726TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	86A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.8 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2150 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥0.818951 +100：￥0.803352 +500：￥0.787753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR8726TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR8726TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.299912 +1000：￥2.181971 +5000：￥2.122948 +10000：￥2.064029 +12500：￥1.985402	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册未分类	+100：￥4.999938 +500：￥3.925497 +1000：￥3.031938 +2500：￥2.978758 +4000：￥2.968033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR8726TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥1.129246 +100：￥1.05399 +300：￥0.930042 +1000：￥0.832125 +5000：￥0.790493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 86A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.8 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2150 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）