IPA60R180P7SXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.8935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.593825 +10：￥12.234443 +100：￥9.832497 +500：￥8.078173 +1000：￥6.731885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.254097 +10：￥29.928688 +100：￥24.052892 +500：￥19.761351 +1000：￥16.467973	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥25.146155 +50：￥20.154072 +100：￥16.582175 +500：￥14.03127 +1000：￥11.90542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 180mOhm @ 5.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 280µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1081 pF @ 400 V

Mouser

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	IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥28.745833 +10：￥23.029332 +100：￥18.456132 +250：￥17.966145 +500：￥15.87554	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 26W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA60R180P7SXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥15.276648 +1000：￥13.052491 +2000：￥12.805363 +5000：￥12.014258 +10000：￥11.775904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA60R180P7SXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥10.646663 +1000：￥9.304836 +2000：￥9.213119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA60R180P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥21.077602 +10：￥18.336569 +50：￥16.918793 +100：￥14.177758 +200：￥13.421612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA60R180P7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥41.777128 +10：￥15.122943 +25：￥13.51613 +100：￥11.058653 +250：￥7.797767	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R180P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1081 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	26W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）