搜索 IRFR120NTRPBF 共 52 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | IRFR120NTRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥3.863689 +10: ¥3.311849 +30: ¥2.897767 +100: ¥2.440274 +500: ¥2.31826 | |||
![]() | IRFR120NTRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥1.56974 +500: ¥1.543578 +1000: ¥1.530496 +3000: ¥1.504334 | |||
IRFR120NTRPBF | +2000: ¥1.745699 +4000: ¥1.7156 +6000: ¥1.685502 +8000: ¥1.655404 | 暂无参数 | |||
IRFR120NTRPBF | +2000: ¥2.228429 +6000: ¥2.12719 +10000: ¥2.086673 +20000: ¥2.025844 | 暂无参数 | |||
![]() | IRFR120NTRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥2.300432 +50: ¥1.925362 +1000: ¥1.775334 +2000: ¥1.65031 +12000: ¥1.637808 | |||
IRFR120NTRPBF 授权代理品牌 | +1: ¥3.008436 +10: ¥2.406703 +30: ¥2.1489 +100: ¥1.976993 +2500: ¥1.770703 | 暂无参数 | |||
IRFR120NTRPBF 授权代理品牌 | +500: ¥1.147438 +1000: ¥1.091641 +2000: ¥1.037232 | 暂无参数 |
IRFR120NTRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 210 毫欧 5.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 330 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 48W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |