品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1018 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）