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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT440N04T4HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 440A TO268 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.95311 +10：￥64.997073 +100：￥53.811584 +500：￥46.858395 +1000：￥41.224346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 440A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 480 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 940W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXTT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT440N04T4HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 440A TO268 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥176.016373 +10：￥159.000062 +100：￥131.63739 +500：￥114.62805 +1000：￥100.845674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 440A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 480 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 940W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXTT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTT440N04T4HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 440A TO268 下载数据手册晶体管	+1：￥189.363071 +10：￥162.241182 +30：￥147.209774 +120：￥135.282678 +270：￥127.276818	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 440A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 480 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 26000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 940W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-268HV（IXTT）封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTT440N04T4HV参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	440A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.25 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	480 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	26000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	940W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-268HV（IXTT）
封装/外壳:	TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）