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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7805PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF7805PBF
授权代理品牌
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¥2.734721

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¥2.18768

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¥1.823107

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

自营 现货库存
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IRF7805PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF7805PBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

自营 国内现货
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IRF7805PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥1.570388

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¥1.427625

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¥1.213515

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¥1.070753

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7805PBF_null
IRF7805PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

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暂无参数
Digi-Key
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IRF7805PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC 5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7805PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.619344

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Mouser
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IRF7805PBF_未分类
IRF7805PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7805PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO