IPD25DP06LMATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.8104 +10：￥9.8736 +30：￥8.228	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.77183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.027604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.960058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IPD06P005 - TRENCH 40<-<100V 下载数据手册未分类	+795：￥4.93189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250mOhm 6.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 6.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 270µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 30 V
IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 6.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 270µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 30 V
IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 6.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 270µA Supplier Device Package： PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 30 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD25DP06LMATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥15.177941 +10：￥12.599325 +100：￥9.808541 +500：￥8.307068 +1000：￥6.756633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD25DP06LMATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	420 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	28W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）