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IDH03G65C5XKSA2_二极管整流器
IDH03G65C5XKSA2
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1

二极管整流器

+1:

¥26.837375

+10:

¥23.548267

+50:

¥21.592286

+100:

¥19.61445

+500:

¥18.707486

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 3 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 100pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH03G65C5XKSA2_未分类
IDH03G65C5XKSA2
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1

未分类

+1:

¥19.964331

+10:

¥17.748084

+100:

¥14.120775

+500:

¥11.11755

+1000:

¥11.055209

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 3 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 100pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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IDH03G65C5XKSA2_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1

二极管整流器

+1:

¥27.315289

+10:

¥24.531977

+100:

¥19.714907

+500:

¥16.19732

+1000:

¥14.084592

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 3 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 100pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
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IDH03G65C5XKSA2_未分类
IDH03G65C5XKSA2
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1

未分类

+1:

¥28.786626

+10:

¥25.921606

+25:

¥24.420882

+100:

¥20.873714

+500:

¥17.053689

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 3 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 100pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

艾睿
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IDH03G65C5XKSA2_未分类
IDH03G65C5XKSA2
授权代理品牌

5th Generation thinQ SiC Schottky Diode

未分类

+500:

¥12.752291

+1000:

¥11.233056

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IDH03G65C5XKSA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 3 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 100pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2-1
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: