IRLML9301TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.13904 +3000：￥0.8136 +6000：￥0.8136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.60083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML9301TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.250235 +100：￥0.325061 +1000：￥0.200038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF International 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF International 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+300：￥2.710994 +500：￥2.036467 +20000：￥1.520723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥3.594861 +50：￥1.792032 +100：￥1.620363 +200：￥1.480843 +500：￥1.266227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9301TRPBF International 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+1：￥4.980606 +10：￥4.005934 +100：￥2.737376 +500：￥2.056345 +1000：￥1.535571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+760：￥3.858315 +1500：￥3.742356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥4.005934 +100：￥2.737376 +500：￥2.056345 +1000：￥1.535571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.056628 +6000：￥0.99256 +15000：￥0.928491 +30000：￥0.851666 +75000：￥0.819632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLML9301TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	64 毫欧 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	388 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Micro3™/SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLML9301TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.250235 +100：￥0.325061 +1000：￥0.200038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF International 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF International 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+300：￥2.710994 +500：￥2.036467 +20000：￥1.520723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥3.594861 +50：￥1.792032 +100：￥1.620363 +200：￥1.480843 +500：￥1.266227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9301TRPBF International 授权代理品牌	IRLML9301TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+1：￥4.980606 +10：￥4.005934 +100：￥2.737376 +500：￥2.056345 +1000：￥1.535571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+760：￥3.858315 +1500：￥3.742356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLML9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥4.005934 +100：￥2.737376 +500：￥2.056345 +1000：￥1.535571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 3.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 388 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Micro3™/SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）