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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥5.003713 +100：￥3.383765 +1000：￥2.483888 +4000：￥1.799875 +8000：￥1.709851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 9.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1025 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.532797 +10：￥3.012956 +30：￥2.75834 +100：￥2.556769 +500：￥2.376416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 9.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1025 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.635315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 9.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1025 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.239544 +8000：￥1.154066 +12000：￥1.111326 +28000：￥1.082834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 9.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1025 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.032252 +8000：￥2.82315 +12000：￥2.718599 +28000：￥2.648898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 9.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1025 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)
IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.818156 +10：￥6.90383 +100：￥5.29117 +500：￥4.182581 +1000：￥3.345906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.818156 +10：￥6.90383 +100：￥5.29117 +500：￥4.182581 +1000：￥3.345906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6342TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥8.469433 +10：￥7.458565 +100：￥5.723697 +500：￥4.521583 +1000：￥3.62	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V, 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 9.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1025 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL6342TRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥2.270299 +8000：￥2.217531 +24000：￥2.198685	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL6342TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.9A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V, 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.6mOhm 9.9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1025 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
温度:	-55°C # 150°C (TJ)