品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200W (Tc)

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C (TJ)