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Digi-Key
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IXFP90N20X3M_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥106.129315

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¥95.866385

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¥79.364405

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¥69.109603

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¥60.800243

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12.8 毫欧 45A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFP90N20X3M_未分类
IXFP90N20X3M
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 90A TO220

未分类

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货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12.8 毫欧 45A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP90N20X3M_未分类
IXFP90N20X3M
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220

未分类

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¥74.517008

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¥64.116849

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库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFP90N20X3M参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X3
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12.8 毫欧 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5420 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 36W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 隔离的标片
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
温度: -55°C # 150°C(TJ)