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IMZ1AT108_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

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¥0.3267

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¥0.300564

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¥0.278784

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¥0.23958

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN, PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C (TJ)

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IMZ1AT108_双极晶体管预偏置
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三极管(晶体管) IMZ1AT108 SOT-457

双极晶体管预偏置

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: NPN, PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C (TJ)

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IMZ1AT108_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态: Active

晶体管类型: NPN, PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

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IMZ1AT108_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT

双极晶体管预偏置

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晶体管类型: NPN, PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

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安装类型: Surface Mount

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IMZ1AT108
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双极晶体管预偏置

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¥0.491528

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晶体管类型: NPN, PNP

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电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

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功率 - 最大值: 300mW

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封装/外壳: SC-74, SOT-457

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双极晶体管预偏置

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电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

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晶体管类型: NPN, PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

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封装/外壳: SC-74, SOT-457

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¥0.34914

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

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封装/外壳: SC-74, SOT-457

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库存: 1000 +

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包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态: Active

晶体管类型: NPN, PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

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IMZ1AT108参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: NPN, PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA, 500mV 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA, 6V
功率 - 最大值: 300mW
频率 - 跃迁: 180MHz, 140MHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SC-74, SOT-457
供应商器件封装: SMT6
温度: 150°C (TJ)