品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 2,6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-DSO-20-85

封装/外壳： 20-PowerSOIC（0.433，11.00mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： GaNFET (Gallium Nitride)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.6V @ 2.6mA

Supplier Device Package： PG-DSO-20-85

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -10V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 380 pF @ 400 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 2,6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-DSO-20-85

封装/外壳： 20-PowerSOIC（0.433，11.00mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）