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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.648186 +10：￥9.900946 +30：￥8.153706 +100：￥7.280086 +500：￥6.697713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 61µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3220 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.698417 +10：￥5.572908 +30：￥5.015617 +100：￥4.458326 +500：￥4.119581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 61µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3220 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.921366	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 61µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3220 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.881366 +10：￥19.858494 +100：￥15.810035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 61µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3220 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥27.299868 +10：￥22.74989 +100：￥18.199912 +250：￥16.737419 +500：￥16.249922	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.5 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 61µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3220 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥11.150475 +1000：￥10.455691 +2500：￥10.012184 +5000：￥9.762163 +10000：￥9.504603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+500：￥7.126105	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP16CN10NGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+11：￥9.899614 +100：￥8.2641 +250：￥7.866272 +500：￥7.665947 +1000：￥7.15338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP16CN10NGXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥37.693228 +10：￥13.715347 +25：￥12.180763 +100：￥9.974798 +250：￥7.039907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP16CN10NGXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16.5 毫欧 53A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 61µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3220 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）