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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH12G65C6XKSA1_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2

二极管整流器

+1:

¥56.576938

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 27A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.35 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容: 594pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

自营 国内现货
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IDH12G65C6XKSA1_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2

二极管整流器

+1:

¥31.100355

+10:

¥27.91503

+25:

¥26.388391

+100:

¥21.110018

+250:

¥19.937355

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 27A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.35 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容: 594pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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IDH12G65C6XKSA1_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2

二极管整流器

+1:

¥76.079709

+10:

¥68.28756

+25:

¥64.552995

+100:

¥51.640696

+250:

¥48.772053

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 27A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.35 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容: 594pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
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IDH12G65C6XKSA1_未分类
IDH12G65C6XKSA1
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2

未分类

+1:

¥88.469221

+10:

¥79.522894

+25:

¥73.700683

+100:

¥65.180372

+250:

¥60.494202

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 27A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.35 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容: 594pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

IDH12G65C6XKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 27A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.35 V 12 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA 420 V
不同 Vr、F 时电容: 594pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
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