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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | IDH12G65C6XKSA1 授权代理品牌 | +1: ¥88.469221 +10: ¥79.522894 +25: ¥73.700683 +100: ¥65.180372 +250: ¥60.494202 |
IDH12G65C6XKSA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 650 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 27A(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.35 V 12 A |
速度: | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 40 µA 420 V |
不同 Vr、F 时电容: | 594pF 1V,1MHz |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-2 |
供应商器件封装: | PG-TO220-2 |
工作温度 - 结: | -55°C # 175°C |
温度: |