IRLU8743PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.455386 +10：￥12.287066 +30：￥10.118746 +100：￥9.034586 +500：￥8.311853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥10.839852 +10：￥10.599452 +30：￥10.435543 +100：￥10.271634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.699696	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.10915 +10：￥9.918477 +100：￥7.733108 +500：￥6.388046 +1000：￥5.043212	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.73908 +75：￥14.496987 +150：￥12.647841 +525：￥11.109411 +1050：￥10.019383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册未分类	+458：￥9.198006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 25A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 100µA Supplier Device Package： IPAK (TO-251AA) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4880 pF @ 15 V

Mouser

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	IRLU8743PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 160A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥34.824076 +10：￥16.201489 +100：￥14.60953 +500：￥12.27134 +1000：￥10.463806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4880 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 135W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU8743PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥8.316194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLU8743PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 30V, TO-251AA-3 下载数据手册未分类	+1：￥21.993727 +10：￥10.239118 +100：￥9.233035 +500：￥7.75575 +1000：￥6.431287	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLU8743PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4880 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	135W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）