IPD90N03S4L03ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.7768 +10：￥8.31028 +30：￥6.84376 +100：￥6.1105 +500：￥5.62166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册	+1：￥6.630625 +10：￥5.83495 +30：￥5.389372 +100：￥4.98623 +500：￥4.721005	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.954128 +5000：￥2.685577 +12500：￥2.561639 +25000：￥2.478994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.22658 +5000：￥6.569632 +12500：￥6.266446 +25000：￥6.064275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.717701 +10：￥14.904256 +25：￥14.150542 +100：￥10.612908 +250：￥10.511184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD90N03S4L03ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥25.418926 +10：￥22.862833 +100：￥18.460673 +500：￥15.194553 +1000：￥14.484528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 45µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD90N03S4L03ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	75 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）