IPB60R099CPATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥94.834476 +10：￥63.222984 +30：￥52.68582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R099CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥52.967701	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R099CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.635329 +10：￥81.358143 +100：￥59.716693 +500：￥52.967548	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
IPB60R099CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.635329 +10：￥81.358143 +100：￥59.716693 +500：￥52.967548	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099CPATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥110.27624 +10：￥78.934572 +100：￥64.839113 +250：￥64.673284 +500：￥57.54264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 255W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099CPATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥80.209127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥51.448028	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R099CPATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, TO-263 下载数据手册未分类	+1：￥76.071562 +5：￥67.603673 +10：￥59.135783 +50：￥56.714578 +100：￥54.293368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R099CPATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2800 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	255W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）