IAUT300N08S5N012ATMA2厂家价格_数据手册

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	IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥101.4948 +10：￥67.6632 +30：￥56.386	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.0521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥26.777572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥34.782978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	80V 300A 1.2MOHM TOLL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.426112 +10：￥59.312809 +100：￥42.655655 +500：￥41.823409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	80V 300A 1.2MOHM TOLL 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.426112 +10：￥59.312809 +100：￥42.655655 +500：￥41.823409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥94.025004 +10：￥63.180823 +25：￥63.014994 +100：￥45.437127 +500：￥41.125575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 231 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16250 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUT300N08S5N012ATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥43.990302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 下载数据手册未分类	+1：￥47.052348 +10：￥40.907683 +25：￥40.690995 +50：￥40.536217 +100：￥39.267041	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥29.433083 +10：￥25.635266 +50：￥25.31878 +100：￥24.580317 +200：￥24.052841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUT300N08S5N012ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	231 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16250 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）