IPB60R060P7ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R060P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.506538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2895 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 164W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB60R060P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥18.803432 +2000：￥17.705462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2895 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 164W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R060P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥45.998176 +2000：￥43.312251	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2895 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 164W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R060P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.011672 +10：￥74.709798 +100：￥60.435069 +500：￥53.720474	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB60R060P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.011672 +10：￥74.709798 +100：￥60.435069 +500：￥53.720474	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB60R060P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥101.753715 +10：￥85.420856 +25：￥78.071069 +100：￥60.43158 +500：￥56.838351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 67 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2895 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 164W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB60R060P7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥97.144198 +10：￥87.181013 +25：￥86.364358 +100：￥70.99869 +250：￥68.083861	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R060P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	67 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2895 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	164W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）