品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Silicon Carbide Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 20A (DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.35 V 8 A

速度： No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 27 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容： 401pF 1V, 1MHz

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： PG-TO220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Silicon Carbide Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 20A (DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.35 V 8 A

速度： No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 27 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容： 401pF 1V, 1MHz

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： PG-TO220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Silicon Carbide Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 20A (DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.35 V 8 A

速度： No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 27 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容： 401pF 1V, 1MHz

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： PG-TO220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Silicon Carbide Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 20A (DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.35 V 8 A

速度： No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 27 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容： 401pF 1V, 1MHz

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： PG-TO220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Silicon Carbide Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 20A (DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.35 V 8 A

速度： No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 27 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容： 401pF 1V, 1MHz

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： PG-TO220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-2

Mounting Type： Through Hole

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 401pF @ 1V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 20A

Supplier Device Package： PG-TO220-2

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.35 V @ 8 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 27 µA @ 420 V

品牌： Infineon Technologies

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Silicon Carbide Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 20A (DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.35 V 8 A

速度： No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 27 µA 420 V

不同 Vr、F 时电容： 401pF 1V, 1MHz

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： PG-TO220-2

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：