IPB60R040C7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥202.728816 +10：￥168.9408 +30：￥135.15264 +100：￥112.627152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.608757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥88.538778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥152.994712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥192.753914 +10：￥177.172973 +100：￥152.994712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 供应商器件封装： PG-TO263-3
IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥113.065537	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ C7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 供应商器件封装： PG-TO263-3

Mouser

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	IPB60R040C7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 24.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1.24mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 107 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4340 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB60R040C7ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+1000：￥107.729733	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R040C7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 24.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1.24mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	107 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4340 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）