IPB027N10N5ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥103.469641 +10：￥68.97968 +30：￥57.483107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 184µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.14272 +10：￥27.154266 +30：￥24.783048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 184µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.146265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 184µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥34.605513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 184µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.739422 +10：￥51.479908 +100：￥38.284836 +500：￥34.605513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.739422 +10：￥51.479908 +100：￥38.284836 +500：￥34.605513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB027N10N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥74.788849 +10：￥55.88435 +100：￥41.623062 +500：￥37.643167 +1000：￥37.477338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.7 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 184µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 139 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10300 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB027N10N5ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 184µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	139 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10300 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）