IPB010N06NATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.089531 +10：￥79.393061 +30：￥66.160864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 208 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.812161 +10：￥80.41378 +30：￥74.534909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 208 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.9456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 208 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥23.607574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 208 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥57.75038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 208 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥128.508239 +10：￥87.768067 +100：￥64.650353 +500：￥57.75038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7
IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥128.508239 +10：￥87.768067 +100：￥64.650353 +500：￥57.75038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB010N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 下载数据手册晶体管	+1：￥120.22638 +10：￥103.145944 +25：￥93.527833 +100：￥85.899676 +250：￥80.758962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 208 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥67.545095 +10：￥63.041058 +25：￥62.298122 +100：￥61.709967 +250：￥61.121811	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB010N06NATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+2：￥41.936715 +10：￥39.140293 +25：￥38.679026 +100：￥38.313859 +250：￥37.94869	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB010N06NATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	208 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）