IPB100N12S305ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB100N12S305ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥67.514733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-1 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB100N12S305ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥12.322054 +2000：￥12.142169 +5000：￥11.062865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-1 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB100N12S305ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥30.143008 +2000：￥29.702964 +5000：￥27.0627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-1 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB100N12S305ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.370279 +10：￥52.363241 +25：￥49.507064 +100：￥39.603952 +250：￥37.404016	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 供应商器件封装： PG-TO263-3
IPB100N12S305ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 供应商器件封装： PG-TO263-3

Mouser

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	IPB100N12S305ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥77.169569 +10：￥64.848377 +25：￥61.605958 +100：￥52.527186 +250：￥51.068098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-1 封装/外壳： TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB100N12S305ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.1 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	185 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11570 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-1
封装/外壳:	TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）