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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.131079 +10：￥5.4208 +30：￥4.517293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.349689 +10：￥3.723758 +30：￥3.416097 +100：￥3.1827 +500：￥2.959911	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.783121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7805TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRF7805TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.010838 +1000：￥0.958514 +2000：￥0.907578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7805TRPBF 授权代理品牌	IRF7805TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.089094 +1000：￥1.023919 +2000：￥0.960713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7805TRPBF 授权代理品牌	IRF7805TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.084926 +500：￥1.001577 +2000：￥0.917997 +6000：￥0.834532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRF7805TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.076522 +10：￥4.47483 +30：￥4.17761 +100：￥3.8969 +500：￥3.764802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7805TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）