IPT007N06NATMA1厂家价格_数据手册

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.300399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥17.849073 +4000：￥17.402924 +6000：￥16.95666	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.441863 +10：￥21.473944 +30：￥18.855165 +100：￥18.331339 +300：￥17.982316	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥18.566192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥45.417824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥107.243434 +10：￥72.500233 +100：￥52.81548 +500：￥45.417978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥107.243434 +10：￥72.500233 +100：￥52.81548 +500：￥45.417978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥108.949608 +10：￥78.602914 +100：￥57.376811 +500：￥49.251193 +2000：￥49.085364	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+1：￥99.970762 +10：￥72.807317 +25：￥72.079863 +100：￥53.289879 +250：￥52.763637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT007N06NATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.75 毫欧 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.3V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	287 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）