IPD90P04P4L04ATMA2厂家价格_数据手册

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	IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.516256 +10：￥19.677504 +30：￥16.39792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.291321 +10：￥21.49394 +30：￥19.832995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.8225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥13.207807 +3000：￥12.052034 +10000：￥11.842388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.64371 +5000：￥12.458903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.623466 +10：￥27.13978 +100：￥18.710231 +500：￥15.075887 +1000：￥13.907531	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313
IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.623466 +10：￥27.13978 +100：￥18.710231 +500：￥15.075887 +1000：￥13.907531	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313

Mouser

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	IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥42.286378 +10：￥29.020063 +25：￥27.527603 +100：￥20.396958 +250：￥20.0653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 176 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-313 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPD90P04P4L04ATMA2 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥28.36739 +5000：￥28.126093 +10000：￥27.884796 +15000：￥27.642071 +20000：￥27.399346	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD90P04P4L04ATMA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS®-P2
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.3 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	176 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11570 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-313
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）