IPT60R050G7XTMA1厂家价格_数据手册

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	IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.752758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2：￥115.650317 +500：￥106.391244 +1000：￥103.202056	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥39.140822	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥95.748822	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥157.025673 +10：￥144.37086 +100：￥121.930103 +500：￥108.465384 +1000：￥99.488949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2
IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥157.025673 +10：￥144.37086 +100：￥121.930103 +500：￥108.465384 +1000：￥99.488949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2

Mouser

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	IPT60R050G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥163.787892 +10：￥148.898083 +100：￥125.81205 +500：￥113.107901 +1000：￥103.818847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 15.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2670 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPT60R050G7XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ G7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	68 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2670 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	245W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-2
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）