品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）