IPT007N06NATMA1厂家价格_数据手册

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.300399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥17.849073 +4000：￥17.402924 +6000：￥16.95666	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥23.034772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥39.804008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥74.894286 +10：￥64.189762 +100：￥53.491469 +500：￥47.198354 +1000：￥42.478519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥74.894286 +10：￥64.189762 +100：￥53.491469 +500：￥47.198354 +1000：￥42.478519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

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	IPT007N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥95.221961 +10：￥81.754628 +100：￥68.128857 +250：￥67.811979 +500：￥60.048457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.75 毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 287 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 16000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+1：￥94.081199 +10：￥80.645553 +25：￥79.425572 +100：￥65.736425 +250：￥64.769946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT007N06NATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥75.094667 +10：￥51.175625 +25：￥50.063113 +50：￥35.044178 +100：￥34.951468	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT007N06NATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.75 毫欧 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.3V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	287 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	16000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）